UM6030
P/N MOS半桥式相电压所在最大的工作工作频率能达到40V兼容3.3V, 5V 和15V复制粘贴道理dv/dt承受力量多达±50 V/nsP/NMOS |VGS| 可以达到10V内设5V/40mA LDO原机过温保障职能栅极驱使电阻:5~40V具有RoSH标准规范:QFN16 內置130ns 死区时段 启用互传延迟时间Ton=80ns关断文件传输如何延时Toff =30ns深浅侧定时相配 欠压定位正面域值4.5V欠压定位负向阀值4.3V 拉电压水平:50mA 灌直流电压性能:300mA 工作上温度表:-40~ 125° C 电磁干扰耐火板:>2KV(HBM)封装形式类型、:QFN16| Part number | Pre_driver | Vs(V) | Voltage (V) | Input logic | IO+/IO-(A) | DT(ns) | IBD | 5V LDO | 12 LDO | Channel num | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UM6030 | 3P3N | 40 | 5-40 | HIN/LIN | +0.05A/-0.3A | 130 | / | √ | -- | 3 | QFN16 |